Tahun lalu, Samsung dilaporkan untuk menghasilkan cip pemproses 3nm dan mereka merancang untuk menjadikannya kenyataan pada tahun hadapan.

Terkini, mereka mengesahkan pelan pembangunan cip itu di mana bermula pertengahan pertama tahun 2022, pemproses 3nm akan dihasilkan secara besar-besaran.

Pemproses 3nm tersebut menggunakan rekaan Gate All Around (GAA) dengan Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) yang akan mengurangkan saiznya sebanyak 35%, peningkatan prestasi 30% serta kecekapan tenaga sebanyak 50% berbanding 5nm.

Sementara pemproses 3nm generasi kedua pula bakal mula dikeluarkan sekitar tahun 2023. Dalam pada itu, Samsung turut menjangkakan mereka akan mula memasuki penghasilan cip 2nm pada tahun 2025.

Sumber: Samsung

Baca juga: